VS-ENQ030L120S
سازنده:
ویشی جنرال نیمه هادی - بخش دیود
توضیحات:
IGBT MOD 1200V 61A EMIPAK-1B
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته
مشخصات
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستورها ماژول های IGBT IGBT
فعلی - گردآورنده (IC) (حداکثر):
61 الف
وضعیت محصول:
فعال
نوع نصب:
پایه شاسی
بسته بندی:
عمده
سری:
-
بسته بندی / کیس:
EMIPAK-1B
Vce(on) (Max) @ Vge، Ic:
2.52 ولت @ 15 ولت، 30 آمپر
ولتاژ - خرابی امیتر کلکتور (حداکثر):
1200 V
بسته دستگاه تامین کننده:
EMIPAK-1B
مفر:
ویشی جنرال نیمه هادی - بخش دیود
دمای کار:
150 درجه سانتی گراد (TJ)
فعلی - برش جمع کننده (حداکثر):
230 µA
نوع IGBT:
سنگر
قدرت - حداکثر:
216 وات
ورودی:
استاندارد
ظرفیت ورودی (Cies) @ Vce:
3.34 nF @ 30 V
پیکربندی:
اینورتر سه سطحی
ترمیستور NTC:
آره
شماره محصول پایه:
ENQ030
مقدمه
IGBT ماژول خندق سه سطح اینورتر 1200 V 61 A 216 W شاسی نصب EMIPAK-1B
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: