پیام فرستادن
english français Deutsch Italiano русский Español português Nederlandse ελληνικά 日本語 한국어 العربية हिन्दी Türkçe bahasa indonesia tiếng Việt แบบไทย বাংলা فارسی Polski
خونه
محصولات
تولید کنندگان
درباره ما
منابع
ارسال RFQ
خونه > محصولات > محصولات نیمه هادی گسسته > DF150R12W1H3FB11BOMA1

DF150R12W1H3FB11BOMA1

DF150R12W1H3FB11BOMA1
DF150R12W1H3FB11BOMA1
سازنده:
تکنولوژی های اینفینیون
توضیحات:
ماژول IGBT کم مصرف آسان
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته
مشخصات
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستورها ماژول های IGBT IGBT
وضعیت محصول:
فعال
بسته بندی:
سینی
سری:
-
Vce(on) (Max) @ Vge، Ic:
-
مفر:
تکنولوژی های اینفینیون
دمای کار:
-
نوع IGBT:
-
ورودی:
-
پیکربندی:
-
شماره محصول پایه:
DF150
مقدمه
ماژول IGBT
برچسب ها:

نیمه هادی جدا از قدرت,ماژول های نیمه هادی گسسته,دستگاه های نیمه هادی گسسته,

discrete semiconductor modules,

discrete semiconductor devices

ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی:
با ما تماس بگیرید
آدرس: فلات/RM 704 7F برج راه روشن 33 MONG KOL ROAL KL HONGKONG
ایمیل: info@klychip.com
تلفن: 86-755- 82527135
محصولات

مدارهای یکپارچه (IC)

IC منطق

اتصال دهنده ها

مدیریت انرژی (PMIC)

RF و بی سیم

نیمه هادی ها

حفاظت مدار

اپتو الکترونیک

IC های جاسازی شده

رابط
درباره ما
درباره ما گواهی ISO کنترل کیفیت سیاست حفظ حریم خصوصی مرکز کمک
سیاست حفظ حریم خصوصی | چین کیفیت خوب مدارهای یکپارچه (IC) عرضه کننده. حقوق چاپ 2024-2025 Kailiyuan Electronic Technology (shenzhen) Co., Ltd. تمام حقوق محفوظ است